光刻材料中阴离子的测定
光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的 1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的 40～60%。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、检测等工序。光刻胶是一种经过严格设计的复杂、精密的配方产品，由树脂、光引发剂、单体、添加剂等不同性质的原料，通过不同的排列组合，经过复杂、精密的加工工艺而制成。目前集成电路的集成水平已由原来的微米级水平进入纳米级水平，为了匹配集成电路的发展水平，制备超净高纯试剂的纯度也由 SEMI G1 逐渐提升到 SEMI G4 级水平，对杂质的检验能力要求也相应提高。
（1）阴离子
分析柱：SH-G-1+SH-AC-11
流动相：15 mM KOH（EG）
流速：1.0 mL/min
柱温：35℃
抑制器：SHY-A-6
进样体积：100 μL
前处理：称取 2 g 样品于 50 mL 样品管中，加入 10 mL 去离子水，于 60℃水浴 1 h，取出冷却至室温，提取液过 0.22 μm 一次性针头过滤器后进样分析。
色谱测量数据
PC 中阴离子谱图
色谱测量数据
PP 中阴离子谱图
色谱测量数据
ABS 中阴离子谱图
（2）阳离子
分析柱：SH-G-1+SH-CC-3L
流动相：6 mM MSA（EG）
流速：1.0 mL/min
柱温：35℃
抑制器：SHY-A-6
进样体积：100 μL
前处理：称取 2 g 样品于 50 mL 样品管中，加入 10 mL 去离子水，于 60℃水浴 1 h，取出冷却至室温，提取液过 0.22 μm 一次性针头过滤器后进样分析。
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