光刻材料中阴阳离子的分析
光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、检测等工序。光刻胶是一种经过严格设计的复杂、精密的配方产品，由树脂、光引发剂、单体、添加剂等不同性质的原料，通过不同的排列组合，经过复杂、精密的加工工艺而制成。目前集成电路的集成水平已由原来的微米级水平进入纳米级水平，为了匹配集成电路的发展水平，制备超净高纯试剂的纯度也由SEMI G1逐渐提升到SEMI G4级水平，对杂质的检验能力要求也相应提高。
前处理方法：称取2 g样品于50 mL样品管中，加入10 mL去离子水，于60℃水浴1 h，取出冷却至室温，提取液过0.22 μm一次性针头过滤器后进样分析。
仪器配置：
应用案例：
分析结论：
本方案根据样品性质进行样品测试，使用盛瀚离子色谱CIC-D260，样品经过纯水提取，将光刻材料中目标离子提取到溶液中，采用抑制电导检测，在1.0 mL/min流速下进行洗脱，从测试结果可以看出待测离子峰型良好,目标峰的响应信号明显，目标峰的分离度及检出限均满足标准要求，采用该方案可以对光刻胶中阴阳离子进行准确的定性定量分析。
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