碳化硅中杂质阴阳离子的分析

碳化硅（SiC）又名金刚砂，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体。碳化硅有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等特点，高纯度碳化硅可制造半导体和碳化硅纤维。碳化硅中的杂质阴阳离子会对其性能产生影响，需要进行检测以提高纯化技术。

前处理方法：样品稀释适当倍数过0.22 μm一次性针头过滤器和银-钠柱进样分析。

仪器配置：

应用案例：

分析结论：

本方案根据样品性质进行样品测试，使用盛瀚双通道离子色谱CIC-D260，样品经过纯水提取，将碳化硅中目标离子提取到溶液中，采用抑制电导检测，在1.0 mL/min流速下进行洗脱，从测试结果可以看出待测离子峰型良好,目标峰的响应信号明显，目标峰的分离度及检出限均满足标准要求，采用该方案可以对碳化硅中阴阳离子进行准确的定性定量分析。