氮化硅中氟、氯的测定
电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉淀或者等离子体增强化学气相沉淀技术制造，而氮化硅中阴离子杂质尤其是卤素会对相关接触部件造成严重腐蚀，所以对氮化硅中阴离子杂质的准确测定具有重要意义。
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电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉淀或者等离子体增强化学气相沉淀技术制造，而氮化硅中阴离子杂质尤其是卤素会对相关接触部件造成严重腐蚀，所以对氮化硅中阴离子杂质的准确测定具有重要意义。
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在集成电路制造过程中，常需要在晶圆上定义出极细微尺寸的图案，这些图案主要的形成方式是藉由蚀刻技术，将微影后产生的光阻图案忠实的转印至光阻下的材质上，以形成集成电路的复杂架构。
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N-甲基吡咯烷酮，简称 NMP，无色透明油状液体，微有胺的气味。能与水、醇、醚、酯、酮、卤代烃、芳烃互溶。挥发度低，热稳定性、化学稳定性均佳，能随水蒸气挥发，有吸湿性，对光敏感。
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电池级微粉碳酸锂系白色粉末，微溶于水，易溶于酸，是生产锂电池的关键原料。主要用于电池行业制造钴酸锂、镍酸锂、磷酸铁锂、锰酸锂等离子电池正极材料，也可用于充电锂离子电池电解质添加剂。
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氢 氧 化 镍 是 镍 基 电 池（Ni-MH、NiCd、Ni-Fe、Ni-Zn）的正极活性物质，碳酸镍、氢氧化镍钴分别是锂电池正极材料碳酸镍锰和镍钴酸锂的合成原料。
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氢氧化镍钴锰是制备锂离子二次电池正极材料——镍钴锰酸锂的前躯体。它通过在纯净的镍、钴、锰的溶液中配入适当的硫酸锰、硫酸镍或硫酸钴，调整溶液中镍、钴、锰元素摩尔比1:1:1，再加入液碱调节 pH值得到镍钴锰氢氧化物。
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