氮化硅中杂质阴离子的分析
电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉淀或者等离子体增强化学气相沉淀技术制造，氟和氯是氮化硅的卤素杂质，会对相关接触部件造成严重腐蚀，从而影响构件的机械强度和密封环的密封效果。
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电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉淀或者等离子体增强化学气相沉淀技术制造，氟和氯是氮化硅的卤素杂质，会对相关接触部件造成严重腐蚀，从而影响构件的机械强度和密封环的密封效果。
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碳化硅（SiC）又名金刚砂，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体。
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二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光导纤维、电子工业的重要部件，是光学仪器、工艺品和耐火材料的原料，是科学研究的重要材料。多数应用领域对二氧化硅的纯度有很高要求，而二氧化硅的合成方法主要有离子交换、硅粉法、硫酸法等，均需要加入化学试剂，因此对后续的纯化技术提出较高要求。
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光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。
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光刻胶有正性胶和负性胶两大类，正性胶的显影液一般为碱性水溶液，KOH和NaOH因为会带来可动离子污染，所以在集成电路制造中一般不用。最普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵（TMAH）。
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在集成电路制造过程中，常需要在晶圆上定义出极细微尺寸的图案，这些图案主要的形成方式是藉由蚀刻技术，将微影后产生的光阻图案忠实的转印至光阻下的材质上，以形成集成电路的复杂架构。
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电镀液是指可以扩大金属的阴极电流密度范围、改善镀层的外观、增加溶液抗氧化的稳定性等特点的液体。电镀液通常包括主盐、导电盐、阳极活性剂、缓冲剂和添加剂。离子色谱可对电镀液中阴离子浓度准确测量，以实现对卤素离子的监控。
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